速度堪比 SATA 6Gbs 挑战 SD 地位,Samsu


    2020-05-29


    Samsung 日前发表全球首款 UFS 记忆卡,提供 32~256GB 多种容量选择,技术宣示的意味相当浓厚。UFS 是 JEDEC 所主导新储存装置规範,企图取代目前广为应用的 eMMC 与 SD,基于资料传输架构设计优势,光是 UFS 记忆卡的存取速度便足以挑战 SATA 6Gb/s 固态硬碟。

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    SD(Secure Digital)记忆卡的应用相当普遍,为满足专业人士与各式消费者,对于储存容量和存取速度的需求,SD Association 暨厂商也相当致力于提升产品规格。不过 Samsung 相当积极参与,JEDEC 所推动性能更胜于 SD 的 UFS(Universal Flash Storage)规範,企图与 SD 一较高下,争取成为行动储存性能解决方案。

    Samsung 日前发表首款基于 UFS 1.0 Card Extension Standard 规範设计的记忆卡,提供 32、64、128、256GB 等多种容量选择,宣称能为高解析度录影、数位单眼、3D VR 摄影机等应用,带来超越以往的储存体验。这是全球首款 UFS 记忆卡产品,儘管外观和 microSD/SDXC 记忆卡相似,但两者之间是无法相容,而且目前也还没有支援的硬体设备。


    ▲ Samsung 甫发表 UFS 记忆卡,最高容量为 256GB,外观样式与讯号脚位都和 microSD/SDXC 相似。

    官方以 256GB 容量产品为例,表示循序存取速度可达读取 530MB/s、写入 170MB/s,这已经达到近乎 SATA 6Gb/s 固态硬碟的速度。反观基于 UHS-II 规範设计的 microSD/SDXC 高阶记忆卡,存取速度至多为读取 275MB/s、写入 250MB/s 左右,UFS 特别是读取部分快上许多。官方更强调随机存取速度达读取 40000IOPS、写入 35000IOPS,相较于速度约为读取 1800IOPS、写入100IOPS 的典型 microSD UHS-I 记忆卡,分别快上 20 与 350 倍之多。


    ▲ Samsung 结合 3D V-NAND 快闪记忆体技术,今年初所发表 UFS 2.0 产品容量达 256GB,反观去年同时期产品只有 128GB 容量。

    UFS 规範首次推出时间在 2011 年 2 月,竞争目标是当前普遍应用在行动装置上的 eMMC(embedded Multi Media Card),2013 年 9 月颁布 UFS 2.0 规範,Samsung 在今年 2 月曾发表最新 UFS 2.0 嵌入式版本产品,容量达 256GB 而且标示性能超越 SATA 6Gb/s 固态硬碟。而今年 3 月 JEDEC 除了颁布 UFS 2.1 规範,同时还包含 UFS Card Extension Standard 1.0 这记忆卡规範,本质上是与 UFS 2.0 相容。


    ▲ UFS 特性、效益相关资讯。

    儘管 SD Association 一再提升性能规格,但 UFS 使用 M-PHY 与 UniPro 实体、链结层,并结合SCSI 资料传输架构与通讯协定,能够支援指令伫列(Command Queuing )。这正中 SD 记忆卡的罩门,SD 即便最高循序存取速度达 200MB/s 以上,随机存取速度却限制于资料传输架构。儘管 UFS 产品目前由 Samsung 唱独角戏,然而有 JEDEC 与 Universal Flash Storage Association 推动,是很有机会成为未来的新高速储存装置主流。


    ▲ UFS 2.0 与 eMMC 5.0 重点规格特性比较表。

    本文转载自T客邦



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